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標準パッケージ統合回路コンポーネントNSVMMUN2232LT1G
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V |
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IB、IC @ Vce飽和(最大) | 250mV @ 1mA, 10mA |
トランジスタ型式 | NPN - Pre-Biased |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) |
シリーズ | - |
抵抗器ベース(R2) | 4.7 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1) | 4.7 kOhms |
電力 - 最大 | 246mW |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
他の名前 | NSVMMUN2232LT1G-ND NSVMMUN2232LT1GOSTR |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 36 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 15 @ 5mA, 10V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100mA |
ベース部品番号 | MMUN22**L |