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標準パッケージ統合回路コンポーネントSTB80NF55-06-1
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK |
シリーズ | STripFET™ II |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 6.5 mOhm @ 40A, 10V |
電力消費(最大) | 300W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
他の名前 | 497-16196-5 STB80NF55-06-1-ND |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 38 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4400pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 189nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 55V |
詳細な説明 | N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 80A (Tc) |