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標準パッケージ統合回路コンポーネントSQR50N04-3M8_GE3
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.5V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D-PAK (TO-252) |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3.8 mOhm @ 20A, 10V |
電力消費(最大) | 136W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 6700pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 105nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40V |
詳細な説明 | N-Channel 40V 50A (Tc) 136W (Tc) Through Hole D-PAK (TO-252) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 50A (Tc) |