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標準パッケージ統合回路コンポーネントIPN80R750P7ATMA1
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.5V @ 140µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT223 |
シリーズ | CoolMOS™ P7 |
RoHSステータス | RoHS Compliant |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 750 mOhm @ 2.7A, 10V |
電力消費(最大) | 7.2W (Tc) |
パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | SOT-223-3 |
他の名前 | IPN80R750P7ATMA1CT |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 460pF @ 500V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 17nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 800V |
詳細な説明 | N-Channel 800V 7A (Tc) 7.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 7A (Tc) |