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標準パッケージ統合回路コンポーネントRTF010P02TL
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 1mA |
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Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TUMT3 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 390 mOhm @ 1A, 4.5V |
電力消費(最大) | 800mW (Ta) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 3-SMD, Flat Leads |
他の名前 | RTF010P02TLTR |
運転温度 | 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 150pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 2.1nC @ 4.5V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
詳細な説明 | P-Channel 20V 1A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1A (Ta) |