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標準パッケージ統合回路コンポーネントMT41J512M8THU-187E:A
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
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電源電圧 - | 1.425 V ~ 1.575 V |
技術 | SDRAM - DDR3 |
サプライヤデバイスパッケージ | - |
シリーズ | - |
パッケージング | Tray |
パッケージ/ケース | 82-FBGA |
運転温度 | 0°C ~ 95°C (TC) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ | Volatile |
記憶容量 | 4Gb (512M x 8) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | DRAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 533MHz 13.125ns |
クロック周波数 | 533MHz |
ベース部品番号 | MT41J512M8 |
アクセス時間 | 13.125ns |