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標準パッケージ統合回路コンポーネントTSM80N1R2CP ROG
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-252, (D-Pak) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.2 Ohm @ 2.75A, 10V |
電力消費(最大) | 110W (Tc) |
パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
他の名前 | TSM80N1R2CP ROGCT TSM80N1R2CP ROGCT-ND TSM80N1R2CPROGCT |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) |
メーカーの標準リードタイム | 30 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 685pF @ 100V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 19.4nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 800V |
詳細な説明 | N-Channel 800V 5.5A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5.5A (Tc) |