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標準パッケージ統合回路コンポーネントIS61NLP25618A-200B3LI
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
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電源電圧 - | 3.135 V ~ 3.465 V |
技術 | SRAM - Synchronous |
サプライヤデバイスパッケージ | 165-BGA (13x15) |
シリーズ | - |
パッケージング | Tray |
パッケージ/ケース | 165-TFBGA |
運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 2 (1 Year) |
メモリタイプ | Volatile |
記憶容量 | 4.5Mb (256K x 18) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | SRAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | SRAM - Synchronous Memory IC 4.5Mb (256K x 18) Parallel 200MHz 3.1ns 165-BGA (13x15) |
クロック周波数 | 200MHz |
アクセス時間 | 3.1ns |