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標準パッケージ統合回路コンポーネントFM21L16-60-TG
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 110ns |
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電源電圧 - | 2.7 V ~ 3.6 V |
技術 | FRAM (Ferroelectric RAM) |
サプライヤデバイスパッケージ | 44-TSOP II |
シリーズ | F-RAM™ |
パッケージング | Tray |
パッケージ/ケース | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
他の名前 | FM21L16-60-TGRA FM21L1660TG |
運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ | Non-Volatile |
記憶容量 | 2Mb (128K x 16) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | FRAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 2Mb (128K x 16) Parallel 110ns 44-TSOP II |
ベース部品番号 | FM21L16 |
アクセス時間 | 110ns |