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標準パッケージ統合回路コンポーネントTK100L60W,VQ
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.7V @ 5mA |
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Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P(L) |
シリーズ | DTMOSIV |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 18 mOhm @ 50A, 10V |
電力消費(最大) | 797W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-3PL |
他の名前 | TK100L60W,VQ(O TK100L60WVQ |
運転温度 | 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 15000pF @ 30V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 360nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | Super Junction |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600V |
詳細な説明 | N-Channel 600V 100A (Ta) 797W (Tc) Through Hole TO-3P(L) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100A (Ta) |