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標準パッケージ統合回路コンポーネントNSVMUN5332DW1T1G
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V |
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IB、IC @ Vce飽和(最大) | 250mV @ 1mA, 10mA |
トランジスタ型式 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
サプライヤデバイスパッケージ | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
シリーズ | - |
抵抗器ベース(R2) | 4.7 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1) | 4.7 kOhms |
電力 - 最大 | 250mW |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
他の名前 | NSVMUN5332DW1T1G-ND NSVMUN5332DW1T1GOSTR |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 40 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション | - |
詳細な説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 15 @ 5mA, 10V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100mA |