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標準パッケージ統合回路コンポーネントIS49NLS18160-25B
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
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電源電圧 - | 1.7 V ~ 1.9 V |
技術 | DRAM |
サプライヤデバイスパッケージ | 144-FCBGA (11x18.5) |
シリーズ | - |
パッケージング | Tray |
パッケージ/ケース | 144-TFBGA |
運転温度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ | Volatile |
記憶容量 | 288Mb (16M x 18) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | DRAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant |
詳細な説明 | DRAM Memory IC 288Mb (16M x 18) Parallel 400MHz 20ns 144-FCBGA (11x18.5) |
クロック周波数 | 400MHz |
アクセス時間 | 20ns |