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標準パッケージ統合回路コンポーネントPSMN6R3-120ESQ
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 6.7 mOhm @ 25A, 10V |
電力消費(最大) | 405W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
他の名前 | 1727-1508 568-10988-5 568-10988-5-ND 934067856127 PSMN6R3-120ESQ-ND |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 11384pF @ 60V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 207.1nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 120V |
詳細な説明 | N-Channel 120V 70A (Tc) 405W (Tc) Through Hole I2PAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 70A (Tc) |