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標準パッケージ統合回路コンポーネントMJD45H11-001
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 80V |
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IB、IC @ Vce飽和(最大) | 1V @ 400mA, 8A |
トランジスタ型式 | PNP |
サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK |
シリーズ | - |
電力 - 最大 | 1.75W |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
他の名前 | MJD45H11-001OS |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant |
周波数 - トランジション | 90MHz |
詳細な説明 | Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 90MHz 1.75W Through Hole I-PAK |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 40 @ 4A, 1V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 1µA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 8A |
ベース部品番号 | MJD45H11 |