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標準パッケージ統合回路コンポーネントFQPF6N80T
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F |
シリーズ | QFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.95 Ohm @ 1.65A, 10V |
電力消費(最大) | 51W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
他の名前 | FQPF6N80T-ND FQPF6N80TFS |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1500pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 31nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 800V |
詳細な説明 | N-Channel 800V 3.3A (Tc) 51W (Tc) Through Hole TO-220F |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.3A (Tc) |