在庫あり: 146
私たちは、非常に競争力のある価格でFQPF8N80CYDTUのディストリビューターを在庫しています。Quick RFQフォームを使用して、今すぐFQPF8N80CYDTUの最新のPirce、在庫、リードタイムをご覧ください。FQPF8N80CYDTUの品質と信頼性に対する当社のコミットメントは揺るぎないものであり、FQPF8N80CYDTUの完全性を確保するために、厳しい品質検査と配信プロセスを実装しました。ここでFQPF8N80CYDTUデータシートも見つけることができます。
標準パッケージ統合回路コンポーネントFQPF8N80CYDTU
電圧 - テスト | 2050pF @ 25V |
---|---|
電圧 - ブレークダウン | TO-220F-3 (Y-Forming) |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.55 Ohm @ 4A, 10V |
Vgs(最大) | 10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ | QFET® |
RoHSステータス | Tube |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 8A (Tc) |
偏光 | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 23 Weeks |
製造元の部品番号 | FQPF8N80CYDTU |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 45nC @ 10V |
IGBTタイプ | ±30V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 5V @ 250µA |
FET特長 | N-Channel |
拡張された説明 | N-Channel 800V 8A (Tc) 59W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
説明 | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 800V |
静電容量比 | 59W (Tc) |