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標準パッケージ統合回路コンポーネントIS64WV5128EDBLL-10BLA3
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 10ns |
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電源電圧 - | 2.4 V ~ 3.6 V |
技術 | SRAM - Asynchronous |
シリーズ | - |
運転温度 | -40°C ~ 125°C (TA) |
水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ | Volatile |
記憶容量 | 4Mb (512K x 8) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | SRAM |
メーカーの標準リードタイム | 12 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 10ns |
アクセス時間 | 10ns |