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標準パッケージ統合回路コンポーネントMJD42C1G
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 100V |
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IB、IC @ Vce飽和(最大) | 1.5V @ 600mA, 6A |
トランジスタ型式 | PNP |
サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK |
シリーズ | - |
電力 - 最大 | 1.75W |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
他の名前 | MJD42C1G-ND MJD42C1GOS |
運転温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 2 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション | 3MHz |
詳細な説明 | Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 6A 3MHz 1.75W Through Hole I-PAK |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 15 @ 3A, 4V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 50µA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 6A |
ベース部品番号 | MJD42 |