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標準パッケージ統合回路コンポーネントSI3443DV
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | Micro6™(TSOP-6) |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 65 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
電力消費(最大) | 2W (Ta) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
他の名前 | *SI3443DV |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1079pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 15nC @ 4.5V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
詳細な説明 | P-Channel 20V 4.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.4A (Ta) |