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標準パッケージ統合回路コンポーネントCGHV1F025S
電圧 - テスト | 40V |
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電圧 - 定格 | 100V |
トランジスタ型式 | HEMT |
サプライヤデバイスパッケージ | 12-DFN (4x3) |
シリーズ | GaN |
電力出力 | 29W |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 12-VFDFN Exposed Pad |
他の名前 | CGHV1F025STR |
雑音指数 | - |
水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) |
メーカーの標準リードタイム | 26 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
利得 | 16dB |
周波数 | 6GHz |
詳細な説明 | RF Mosfet HEMT 40V 150mA 6GHz 16dB 29W 12-DFN (4x3) |
定格電流 | 2A |
電流 - テスト | 150mA |