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標準パッケージ統合回路コンポーネントNTHD4P02FT1G
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.2V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | ChipFET™ |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
電力消費(最大) | 1.1W (Tj) |
パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
他の名前 | NTHD4P02FT1GOSCT |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 6 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 300pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 6nC @ 4.5V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | Schottky Diode (Isolated) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
詳細な説明 | P-Channel 20V 2.2A (Tj) 1.1W (Tj) Surface Mount ChipFET™ |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.2A (Tj) |