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標準パッケージ統合回路コンポーネントBQ4010YMA-150N
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 150ns |
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電源電圧 - | 4.5 V ~ 5.5 V |
技術 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
サプライヤデバイスパッケージ | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
シリーズ | - |
パッケージング | Tray |
パッケージ/ケース | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
他の名前 | 296-32843-5 BQ4010YMA-150N-ND BQ4010YMA150N |
運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メモリタイプ | Non-Volatile |
記憶容量 | 64Kb (8K x 8) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | NVSRAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 150ns 28-DIP Module (18.42x37.72) |
ベース部品番号 | BQ4010 |
アクセス時間 | 150ns |