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標準パッケージ統合回路コンポーネントFQD5N15TM
電圧 - テスト | 230pF @ 25V |
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電圧 - ブレークダウン | D-Pak |
同上@ VGS(TH)(最大) | 800 mOhm @ 2.15A, 10V |
Vgs(最大) | 10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ | QFET® |
RoHSステータス | Tape & Reel (TR) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.3A (Tc) |
偏光 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
他の名前 | FQD5N15TM-ND FQD5N15TMTR |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 6 Weeks |
製造元の部品番号 | FQD5N15TM |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 7nC @ 10V |
IGBTタイプ | ±25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4V @ 250µA |
FET特長 | N-Channel |
拡張された説明 | N-Channel 150V 4.3A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount D-Pak |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
説明 | MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 150V |
静電容量比 | 2.5W (Ta), 30W (Tc) |