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標準パッケージ統合回路コンポーネントIXFN50N120SK
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.8V @ 10mA |
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Vgs(最大) | +20V, -5V |
技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 52 mOhm @ 40A, 20V |
電力消費(最大) | - |
パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC |
運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Chassis Mount |
メーカーの標準リードタイム | 24 Weeks |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1895pF @ 1000V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 115nC @ 20V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 20V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1200V |
詳細な説明 | N-Channel 1200V 48A (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 48A (Tc) |