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まず  ページプロダクトセンターディスクリート半導体製品トランジスタ-fet、mosfet-rfNE3512S02-T1C-A
NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-Aのラベルとメインマークは、注文後に提供できます。

NE3512S02-T1C-A

メガ番号 #: MEGA-NE3512S02-T1C-A
メーカー: CEL (California Eastern Laboratories)
パッケージ: Cut Tape (CT)
説明: HJ-FET NCH 13.5DB S02
ROHS標準に準拠しています: 鉛フリー/ RoHS準拠
Datasheet:

認定

クイック RFQ

在庫あり: 51835

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製品説明

私たちは、非常に競争力のある価格でNE3512S02-T1C-Aのディストリビューターを在庫しています。Quick RFQフォームを使用して、今すぐNE3512S02-T1C-Aの最新のPirce、在庫、リードタイムをご覧ください。NE3512S02-T1C-Aの品質と信頼性に対する当社のコミットメントは揺るぎないものであり、NE3512S02-T1C-Aの完全性を確保するために、厳しい品質検査と配信プロセスを実装しました。ここでNE3512S02-T1C-Aデータシートも見つけることができます。

規格

標準パッケージ統合回路コンポーネントNE3512S02-T1C-A

電圧 - テスト 2V
電圧 - 定格 4V
トランジスタ型式 HFET
サプライヤデバイスパッケージ S02
シリーズ -
電力出力 -
パッケージング Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース 4-SMD, Flat Leads
他の名前 NE3512S02-T1C-ACT
雑音指数 0.35dB
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
利得 13.5dB
周波数 12GHz
詳細な説明 RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02
定格電流 70mA
電流 - テスト 10mA
ベース部品番号 NE3512

NE3512S02-T1C-Aの一般的な問題

f私たちの製品は良質ですか?品質保証はありますか?
Q当社の製品は、厳格なスクリーニングを通じて、ユーザーが質の高い問題があれば本物の保証製品を購入することを保証するために、いつでも返品できるようにします!
fMEGA SOURCEの会社は信頼できますか?
Q私たちは20年以上にわたって設立され、エレクトロニクス業界に焦点を当てており、ユーザーに最高品質のIC製品を提供するよう努めています
fアフターセールスサービスはどうですか?
Q100を超えるプロのカスタマーサービスチーム、7*24時間あらゆる種類の質問に答える
fエージェントですか?または仲介者?
QMEGA SOURCEはソースエージェントであり、仲介者を切り取り、製品価格を最大限に引き下げ、顧客に利益をもたらします

20

業界の専門知識

100

注文品質チェック

2000

クライアント

15,000

在庫倉庫
MegaSource Co., LTD.