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標準パッケージ統合回路コンポーネントRT1A060APTR
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 1mA |
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Vgs(最大) | -8V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSST |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 19 mOhm @ 6A, 4.5V |
電力消費(最大) | 600mW (Ta) |
パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
他の名前 | RT1A060APCT RT1A060APTRCT RT1A060APTRCT-ND |
運転温度 | 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 10 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 7800pF @ 6V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 80nC @ 4.5V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 12V |
詳細な説明 | P-Channel 12V 6A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-TSST |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6A (Ta) |