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標準パッケージ統合回路コンポーネントFQP10N20C
電圧 - テスト | 510pF @ 25V |
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電圧 - ブレークダウン | TO-220-3 |
同上@ VGS(TH)(最大) | 360 mOhm @ 4.75A, 10V |
Vgs(最大) | 10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ | QFET® |
RoHSステータス | Tube |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 9.5A (Tc) |
偏光 | TO-220-3 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 6 Weeks |
製造元の部品番号 | FQP10N20C |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 26nC @ 10V |
IGBTタイプ | ±30V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4V @ 250µA |
FET特長 | N-Channel |
拡張された説明 | N-Channel 200V 9.5A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
説明 | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 200V |
静電容量比 | 72W (Tc) |