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標準パッケージ統合回路コンポーネントSUD35N10-26P-T4GE3
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.4V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-252, (D-Pak) |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 26 mOhm @ 12A, 10V |
電力消費(最大) | 8.3W (Ta), 83W (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 33 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2000pF @ 12V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 47nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 7V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100V |
詳細な説明 | N-Channel 100V 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 35A (Tc) |