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標準パッケージ統合回路コンポーネントMT29F2G08ABBEAM69A3WC1
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
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電源電圧 - | 1.7 V ~ 1.95 V |
技術 | FLASH - NAND |
シリーズ | - |
運転温度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メモリタイプ | Non-Volatile |
記憶容量 | 2Gb (256M x 8) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | FLASH |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | FLASH - NAND Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel |