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標準パッケージ統合回路コンポーネントDMTH8012LPSW-13
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerDI5060-8 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 17 mOhm @ 12A, 10V |
電力消費(最大) | 3.1W (Ta) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
メーカーの標準リードタイム | 20 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1949pF @ 40V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 34nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80V |
詳細な説明 | N-Channel 80V 53.7A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 53.7A (Tc) |