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標準パッケージ統合回路コンポーネント2N6426G
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 40V |
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IB、IC @ Vce飽和(最大) | 1.5V @ 500µA, 500mA |
トランジスタ型式 | NPN - Darlington |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 |
シリーズ | - |
電力 - 最大 | 625mW |
パッケージング | Bulk |
パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
他の名前 | 2N6426GOS |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション | - |
詳細な説明 | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40V 500mA 625mW Through Hole TO-92-3 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 30000 @ 100mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 1µA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 500mA |
ベース部品番号 | 2N6426 |