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標準パッケージ統合回路コンポーネントTHGBMDG5D1LBAIT
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
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電源電圧 - | 2.7 V ~ 3.6 V |
技術 | FLASH - NAND |
サプライヤデバイスパッケージ | 153-WFBGA (11x10) |
シリーズ | e•MMC™ |
パッケージング | Tray |
パッケージ/ケース | 153-WFBGA |
他の名前 | THGBMDG5D1LBAITH2J THGBMDG5D1LBAITJ2J THGBMDG5D1LBAITYMJ THGBMDG5D1LBAITYNJ THGBMDG5D1LBAITYXJ THGBMNG5D1LBAIT |
運転温度 | -25°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ | Non-Volatile |
記憶容量 | 32Gb (4G x 8) |
メモリインタフェース | MMC |
メモリ形式 | FLASH |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | FLASH - NAND Memory IC 32Gb (4G x 8) MMC 52MHz 153-WFBGA (11x10) |
クロック周波数 | 52MHz |