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標準パッケージ統合回路コンポーネントSIS429DNT-T1-GE3
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 21 mOhm @ 10.5A, 10V |
電力消費(最大) | 27.8W (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
メーカーの標準リードタイム | 32 Weeks |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1350pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 50nC @ 10V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
詳細な説明 | P-Channel 30V 20A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A (Tc) |