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標準パッケージ統合回路コンポーネントAPTML20UM18R010T1AG
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 2.5mA |
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Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SP1 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 19 mOhm @ 50A, 10V |
電力消費(最大) | 480W (Tc) |
パッケージング | Bulk |
パッケージ/ケース | SP1 |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Chassis Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 9880pF @ 25V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200V |
詳細な説明 | N-Channel 200V 109A (Tc) 480W (Tc) Chassis Mount SP1 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 109A (Tc) |