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標準パッケージ統合回路コンポーネントTC58BVG0S3HBAI4
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 25ns |
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電源電圧 - | 2.7 V ~ 3.6 V |
技術 | FLASH - NAND (SLC) |
サプライヤデバイスパッケージ | 63-TFBGA (9x11) |
シリーズ | Benand™ |
パッケージング | Tray |
パッケージ/ケース | 63-VFBGA |
他の名前 | TC58BVG0S3HBAI4JDH TC58BVG0S3HBAI4YCL |
運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ | Non-Volatile |
記憶容量 | 1Gb (128M x 8) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | FLASH |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 25ns 63-TFBGA (9x11) |
アクセス時間 | 25ns |