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標準パッケージ統合回路コンポーネントSI6562DQ-T1-GE3
同上@ VGS(TH)(最大) | 600mV @ 250µA (Min) |
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サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
電力 - 最大 | 1W |
パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
他の名前 | SI6562DQ-T1-GE3CT |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 25nC @ 4.5V |
FETタイプ | N and P-Channel |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
詳細な説明 | Mosfet Array N and P-Channel 20V 1W Surface Mount 8-TSSOP |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | - |
ベース部品番号 | SI6562 |