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標準パッケージ統合回路コンポーネントIPI041N12N3GAKSA1
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 270µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO262-3 |
シリーズ | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.1 mOhm @ 100A, 10V |
電力消費(最大) | 300W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
他の名前 | IPI041N12N3 G IPI041N12N3 G-ND IPI041N12N3G SP000652748 |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 13800pF @ 60V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 211nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 120V |
詳細な説明 | N-Channel 120V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 120A (Tc) |