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標準パッケージ統合回路コンポーネントPQMD2Z
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V |
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IB、IC @ Vce飽和(最大) | 150mV @ 500µA, 10mA |
トランジスタ型式 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
サプライヤデバイスパッケージ | DFN1010B-6 |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
抵抗器ベース(R2) | 22 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1) | 22 kOhms |
電力 - 最大 | 230mW |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 6-XFDFN Exposed Pad |
他の名前 | 1727-2712-2 568-13233-2 568-13233-2-ND 934069746147 PQMD2Z-ND |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 8 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション | 230MHz, 180MHz |
詳細な説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz, 180MHz 230mW Surface Mount DFN1010B-6 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 60 @ 5mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 1µA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100mA |