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標準パッケージ統合回路コンポーネントEMD3T2R
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V |
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IB、IC @ Vce飽和(最大) | 300mV @ 500µA, 10mA |
トランジスタ型式 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
サプライヤデバイスパッケージ | EMT6 |
シリーズ | - |
抵抗器ベース(R2) | 10 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1) | 10 kOhms |
電力 - 最大 | 150mW |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
他の名前 | EMD3T2R-ND EMD3T2RTR |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 10 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション | 250MHz |
詳細な説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 30 @ 5mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100mA |
ベース部品番号 | *MD3 |