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標準パッケージ統合回路コンポーネントSIDR680DP-T1-GE3
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.4V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8DC |
シリーズ | TrenchFET® Gen IV |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.9 mOhm @ 20A, 10V |
電力消費(最大) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
他の名前 | SIDR680DP-T1-GE3TR |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 32 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5150pF @ 40V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 105nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 7.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80V |
詳細な説明 | N-Channel 80V 32.8A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 32.8A (Ta), 100A (Tc) |