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標準パッケージ統合回路コンポーネントMD2009DFX
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 700V |
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IB、IC @ Vce飽和(最大) | 2.8V @ 1.4A, 5.5A |
トランジスタ型式 | NPN |
サプライヤデバイスパッケージ | ISOWATT-218FX |
シリーズ | - |
電力 - 最大 | 58W |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | ISOWATT218FX |
運転温度 | 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション | - |
詳細な説明 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 700V 10A 58W Through Hole ISOWATT-218FX |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 5 @ 5.5A, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 200µA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 10A |