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標準パッケージ統合回路コンポーネントCYD09S36V18-200BBXC
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
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電源電圧 - | 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V |
技術 | SRAM - Dual Port, Synchronous |
サプライヤデバイスパッケージ | 256-FBGA (17x17) |
シリーズ | - |
パッケージング | Tray |
パッケージ/ケース | 256-LBGA |
他の名前 | 428-2035 CYD09S36V18-200BBXC-ND |
運転温度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 4 (72 Hours) |
メモリタイプ | Volatile |
記憶容量 | 9Mb (256K x 36) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | SRAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 200MHz 3.3ns 256-FBGA (17x17) |
クロック周波数 | 200MHz |
ベース部品番号 | CYD09S36 |
アクセス時間 | 3.3ns |