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標準パッケージ統合回路コンポーネントEPC2102ENGRT
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 7mA |
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サプライヤデバイスパッケージ | Die |
シリーズ | eGaN® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.4 mOhm @ 20A, 5V |
電力 - 最大 | - |
パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | Die |
他の名前 | 917-EPC2102ENGRCT |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 830pF @ 30V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 6.8nC @ 5V |
FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET特長 | GaNFET (Gallium Nitride) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60V |
詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A (Tj) Surface Mount Die |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 23A (Tj) |