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標準パッケージ統合回路コンポーネントIRLML5103TR
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | Micro3™/SOT-23 |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 600 mOhm @ 600mA, 10V |
電力消費(最大) | 540mW (Ta) |
パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
他の名前 | *IRLML5103TR IRLML5103 IRLML5103-ND IRLML5103CT |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 75pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 5.1nC @ 10V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
詳細な説明 | P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 760mA (Ta) |