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標準パッケージ統合回路コンポーネントBSP299H6327XUSA1
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 1mA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT223-4 |
シリーズ | SIPMOS® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4 Ohm @ 400mA, 10V |
電力消費(最大) | 1.8W (Ta) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA |
他の名前 | BSP299H6327XUSA1-ND BSP299H6327XUSA1TR SP001058628 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 400pF @ 25V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 500V |
詳細な説明 | N-Channel 500V 400mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 400mA (Ta) |