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標準パッケージ統合回路コンポーネントMT49H32M18SJ-25E:B TR
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
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電源電圧 - | 1.7 V ~ 1.9 V |
技術 | DRAM |
サプライヤデバイスパッケージ | 144-FBGA (18.5x11) |
シリーズ | - |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 144-TFBGA |
他の名前 | MT49H32M18SJ-25E:B TR-ND MT49H32M18SJ-25E:BTR |
運転温度 | 0°C ~ 95°C (TC) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ | Volatile |
記憶容量 | 576Mb (32M x 18) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | DRAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | DRAM Memory IC 576Mb (32M x 18) Parallel 400MHz 15ns 144-FBGA (18.5x11) |
クロック周波数 | 400MHz |
アクセス時間 | 15ns |