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標準パッケージ統合回路コンポーネントIRFHM830DTR2PBF
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.35V @ 50µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PQFN (3x3) |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.3 mOhm @ 20A, 10V |
電力消費(最大) | 2.8W (Ta), 37W (Tc) |
パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | 8-VQFN Exposed Pad |
他の名前 | IRFHM830DTR2PBFCT |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1797pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 27nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
詳細な説明 | N-Channel 30V 20A (Ta), 40A (Tc) 2.8W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A (Ta), 40A (Tc) |