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標準パッケージ統合回路コンポーネントJAN2N6766
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-3 |
シリーズ | Military, MIL-PRF-19500/543 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 90 mOhm @ 30A, 10V |
電力消費(最大) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
パッケージング | Bulk |
パッケージ/ケース | TO-204AE |
他の名前 | JAN2N6766-MIL |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 115nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200V |
詳細な説明 | N-Channel 200V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 30A (Tc) |