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標準パッケージ統合回路コンポーネントTRS8E65C,S1Q
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.7V @ 8A |
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電圧 - 逆(VR)(最大) | 650V |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-2L |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
シリーズ | - |
逆回復時間(trrの) | 0ns |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-220-2 |
他の名前 | TRS8E65C,S1Q(S TRS8E65CS1Q |
動作温度 - ジャンクション | 175°C (Max) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 12 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
詳細な説明 | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole TO-220-2L |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 90µA @ 650V |
電流 - 平均整流(イオ) | 8A (DC) |
Vrと、F @キャパシタンス | 44pF @ 650V, 1MHz |