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標準パッケージ統合回路コンポーネントCY14B104L-BA25XI
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 25ns |
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電源電圧 - | 2.7 V ~ 3.6 V |
技術 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
サプライヤデバイスパッケージ | 48-FBGA (6x10) |
シリーズ | - |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | 48-TFBGA |
運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ | Non-Volatile |
記憶容量 | 4Mb (512K x 8) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | NVSRAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 25ns 48-FBGA (6x10) |
ベース部品番号 | CY14B104 |
アクセス時間 | 25ns |